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禅城区辖3个街道、1个镇：祖庙街道、石湾街道、张槎街道、南庄镇。区人民政府驻祖庙街道大福南路。
南海区辖1个街道(桂城街道)、6个镇(里水镇、九江镇、丹灶镇、大沥镇、狮山镇、西樵镇)。共67个村委会、182个居委会。政府驻桂城街道。
顺德区辖4个街道(大良、容桂、伦教、勒流)、6个镇(陈村、均安、杏坛、龙江、乐从、北滘)、108个行政村，92个居民区。
三水区共辖1个街道(西南街道)、4个镇(芦苞镇、大塘镇、乐平镇、白坭镇)、2个经济区(云东海旅游经济区、迳口华侨经济区)。
高明区下辖荷城街道办事处和杨和镇、更合镇、明城镇3个镇。全区51个村委会、21个社区居委会，其中荷城街道14个村委会、14个社区居委会;杨和镇7个村委会、3个社区居委会;明城镇11个村委会、1个社区居委会;更合镇19个村委会、3个社区居委会
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黄埔区科学城维修办事处：
番禺区顺德大良凤翔维修办事处：
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佛山市南海区海八路
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嵌入式存储技术的发展已经使得大容量DRAM和SRAM在目前的系统级芯片(SoC)中非常普遍。大容量存储器和小容量存储器之间的折衷权衡使得各种尺寸的存储器变得切实可行，SoC也更像过去的板级系统。新式的嵌入式存储器甚至增加了低功耗工作特性以满足手持系统的需求。
大容量嵌入式存储器给SoC带来了诸如改善带宽和降低功耗等只能通过采用嵌入技术来实现的各种好处。SoC中内嵌DRAM和/或大容量SRAM模块是否切合实际并取得成功主要依赖于制造工艺。高度可制造的存储器结构可以解决影响SoC设计的成本、上市时间和风险问题。
虽然SRAM一直是SoC中的主要部件，但在过去的几年，单片SoC中SRAM块的大小和数量开始猛增。带150个SRAM块的芯片并不稀奇，一些内核容量甚至达到1Mb～8Mb。
与此同时，DRAM可
制造性的tigao已使得大容量DRAM模块的应用迅速增加。甚至在游戏机和便携式摄像机所用的ASIC中都包含了DRAM内核。以东芝为例，其嵌入式DRAM系统常常先采用新一代制造技术。随着芯片制造向更细工艺发展，SoC中内嵌DRAM的数量和大小也不断增加。在180纳米工艺下，系统ASIC一般采用两块DRAM，总存储容量大可到64Mb左右。而在目前的130和90纳米工艺下，一般系统会采用四块以上DRAM内核，大容量为120Mb。
从制造的角度看，大块和小块存储器的制造难度差不多。不过，在大存储器和小存储器之间的权衡折衷要考虑对性能、芯片面积的一些影响。这些权衡不那么简单，所以如果用户要在使用较少的大块存储器与使用较多的小块存储器之间做选择的话，好咨询一下半导体供应商的应用工程师。
甚至在制造之前，大的存储器块必须很好满足后端布局布线的要求。目前在超大块的存储器顶层布线的能力已经使得它们对于布局布线环境来说更加友好了。
带公共BIST模块的测试方案也已经变得很友好。如今，用户可以在众多面向嵌入式存储器测试方案中进行选择，有些方案需要晶圆级存储器测试器，而有些非常依赖于BIST结构。针对给定设计选择好的测试方案，需要用户和硅片供应商一起详细讨论。
大的DRAM模块变得更加“友好”的另一个方面是其功耗。从180纳米向130纳米转换时功耗已经得到极大的改善。在130纳米工艺下，一个分页写模式的DRAM功耗只有180纳米工艺下的34%。待机功耗也降到了180纳米下的24%，而停止工作时的功耗只有180纳米下的12%。功耗的减少有助于推动大的嵌入式DRAM在便携式摄像机和手机SoC中的应用。
嵌入式存储器的繁荣完全归功于新的集成工艺技术的成功，开发这些工艺技术的初始阶段就考虑了大存储器。工艺一代比一代更加精良，保证了含有SRAM或DRAM芯片的高成品率。仅仅在这个层面上，就可以预言ASIC厂商能提供具有成本效益的嵌入式存储器。
基于这个原因，用户可以预计SRAM和内嵌沟道型DRAM将是未来SoC的流行选择。除了成本的降低，采用这类存储器可以把上市时间和设计风险降到低。要得到这些好处，用户要注意的是必须有效利用其工艺供应商的存储器IP，因为制造工艺要结合专门的存储器结构才能发挥作用。
针对非易失性存储要求，东芝公司已经发现，在一个堆叠裸片封装中将SoC和现成的闪存结合在一起可以工作得非常好，而且成本较低。另外，SRAM对于小的、高速的SoC存储器来说是理想选择，而嵌入式沟道型DRAM适合于满足大的存储块需要。在把无线电芯片或模块集成到典型的嵌入式系统中时，设计人员必须面临的一项常见任务是追踪和消除噪声和杂散信号。潜在的噪声来源包括：开关电源、来自系统其它部分的数字噪声、以及外部噪声来源。在考虑噪声时，还应考虑无线电产生的任何可能的干扰，这是避免干扰其它无线电及满足法规要求的一项重要考虑因素。
查找噪声来源一直不是一件轻松的事情。但是，新增的无线技术进一步tigao了嵌入式系统的复杂程度，设计人员在跟踪噪声来源方面面临着更大的障碍。我们必须面对这个现实，即无线技术无处不在。据估算，目前使用的无线设备已经超过10亿台，30%的嵌入式设计现在包括无线功能，而且这一数字每天都在持续增长。
在嵌入式系统中增加无线功能时，在集成中一般会遇到许多问题。对电池供电系统，一般使用开关稳压器，以低的成本实现高的实用效率。电源输出功率也经常是一个问题。这要求使用高开关频率，使输出滤波的规格和要求达到小。这些电源在输出电压上通常有纹波，其可能会显示在RF发射机输出上，特别是在负荷下或在电池电量不足时。为避免这种情况，可能需要额外的电源滤波，以避免无线电信号不想要的损伤，尽管这会导致不希望的成本或功率。
无线电芯片或模块的硬件电路和软件配置可能会影响发送的信号质量。如果设置和过滤不当，无线电可能会给其它无线电系统带来干扰，或不能满足相应的法规标准。某些无线电系统需要信道滤波器、RF表面声波和其它成本相对较高的滤波器，以满足信道外和带外辐射的法规要求。
作为嵌入式设计人员的工具，示波器是单纯为进行时域测量而优化的。MSO(混合信号示波器)可以同时测量模拟信号和数字信号，但使用示波器很难在RF载波上有效测量RF信号。另外很难把时域和频域中的事件充分关联起来，而这对查找系统级问题至关重要。
尽管频谱分析仪可以在频域中进行测量，但对大多数嵌入式设计人员来说，频谱分析仪并不是的工具。使用频谱分析仪在系统其余地方进行时间相关测量几乎是不可能的。
在本文中，我们将考察使用一种称为混合域示波器或MDO的新型仪器查找噪声来源的技巧和技术。泰克近推出了世界上台MDO，本文中的实例就基于MDO4000系列。该示波器拥有独特的功能，可以同时显示4个模拟信号、16个数字波形、多4条解码的串行总线和/或并行总线及1个RF信号。所有这些信号都时间相关，显示控制信号对模拟域和RF域的影响。
在深入了解使用MDO的操作实例之前，我们首先回顾一下这一示波器背后的部分主要概念。混合域示波器在查找噪声来源中的主要价值，是它能够在两个域(时域和频域)中进行时间相关测量。此外，它可以在多个模拟信号、数字信号和RF信号中进行这些测量。
所谓时间相关，是指MDO能够测量所有输入之间的定时关系。例如，它可以测量控制信号与无线电传输之开始之间的时间，测量发送的无线电信号的上升时间，或测量无线数据流中的多个符号之间的时间。可以分析某种设备状态变化期间的电源电压暂降，并与对RF信号的影响相关。时间相关对了解整个系统操作或因果关系非常重要。
时域信号是好用幅度随时间变化观察的信号，这些信号在传统上使用示波器测量。用幅度随时间变化观察信号有助于回答下面这些问题：“电源真的是DC吗？”“这个数字信号的建立时间是否充足？”“我的RF信号打开了么？”“目前正在通过这条有线总线传送哪些信息？”时域信号不限于模拟输入。观看RF幅度、频率和相位随时间变化可以研究RF信号简单的模拟调制特点、启动特点和稳定特点。
频域信号则是好用幅度随频率变化观察的信号，这些信号在传统上使用频谱分析仪测量。用幅度随频率变化观察信号有助于回答下面这些问题：“发送的这个RF信号是否位于分配的频谱范围内？”“这个信号上的谐波失真是否会导致设备问题？”“这个频段中是否存在任何信号？”
应用实例：带有开关电源、具有无线功能的嵌入式系统
在下面的讨论中，被测器件将使用一块灵活的无线电集成电路，其已经集成到无线电测试模块中，即MicrochipTechnologiesMRF89XM8A。这个模块采用MRF89XA集成电路无线电及滤波和天线匹配。为进行演示，这个模块安装在MicrochipExplorer 16电路板上，与电脑一起使用，对无线电设置进行编程。
为演示使用开关电源对无线电供电的影响，我们使用升压转换器集成电路MicrochipMCP1640，其集成到MCP1640EV评测电路板上。这个转换器以大约500kHz频率开关，这一频率对开关稳压器十分常见。它可以提供无线电模块所需的3.3 V输出电压，支持低0.8V的输入电压。这意味着可以从一个电池单元为无线电供电，降低产品的电池尺寸。图1是测试设置图。
