RITAR瑞达蓄电池RT12200 12V20AH/20HR UPS后备电源 直流屏专用
RITAR瑞达蓄电池RT12200 12V20AH/20HR UPS后备电源 直流屏专用
1、容量范围：≤28Ah(C20,25℃)
2、额定电压：6V/12V/24V
3、浮充设计寿命：6年-8年
4、满足IEC、JIS、BS、VDS及 GB/T等检测标准
5、通过UL、CE、ISO9001、ISO14001及ISO45001等认证
6、采用纯度高达99.994%的1#电解铅
7、采用特殊专利合金配方，板栅耐腐蚀性能更强
8、采用高温高湿固化工艺，寿命、容量及批次一致性有保障
9、挂耳工艺设计，极板固化干燥的一致性高
10、采用隐藏式安全阀设计，有效避免安全阀堵塞
产品参数
| 电池型号 | 额定电压（V） | 额定容量C20（Ah） | 电池尺寸 | 端子选项 | 端子位置 | |||
| 长/mm | 宽/mm | 高/mm | 总高/mm | |||||
| RT613 | 6 | 1.3 | 97 | 24 | 52 | 58 | F1 | C |
| RT628 | 6 | 2.8 | 66.5 | 34 | 97 | 103 | F1 | A |
| RT632 | 6 | 3.2 | 134 | 34 | 60 | 66 | F1 | C |
| RT640S | 6 | 4 | 194 | 25 | 62 | 62 | T1 | N |
| RT640 | 6 | 4 | 70 | 47 | 99 | 105 | F1 | A |
| RT645 | 6 | 4.5 | 70 | 47 | 99 | 105 | F1 | A |
| RT650 | 6 | 5 | 70 | 47 | 99 | 105 | F1/F2 | A |
| RT670 | 6 | 7 | 151 | 34 | 94 | 100 | F1/F2 | C |
| RT680 | 6 | 8 | 151 | 34 | 94 | 100 | F1/F2 | C |
| RT6100 | 6 | 10 | 150 | 50 | 93 | 99 | F1/F2 | C |
| RT6120 | 6 | 12 | 150 | 50 | 93 | 99 | F1/F2 | C |
| RT1213 | 12 | 1.3 | 98 | 43.5 | 53 | 59 | F1 | E |
| RT1223 | 12 | 2.3 | 177 | 35 | 62 | 68 | F1 | C |
| RT1232 | 12 | 3.2 | 134 | 67 | 60 | 66 | F1 | E |
| RT1240 | 12 | 4 | 90 | 70 | 101 | 107 | F1/F2 | C |
| RT1245 | 12 | 4.5 | 90 | 70 | 101 | 107 | F1/F2 | C |
| RT1245S | 12 | 4.5 | 195 | 47 | 71 | 76 | F1/F2 | C |
| RT1245U | 12 | 4.5 | 151 | 65 | 94 | 100 | F1/F2 | C |
| RT1250 | 12 | 5 | 90 | 70 | 101 | 107 | F1/F2 | C |
| RT1250B | 12 | 5 | 151 | 50 | 95 | 101 | F1/F2 | C |
| RT1270 | 12 | 7 | 151 | 65 | 94 | 100 | F1/F2 | F |
| RT1270A | 12 | 7 | 151 | 65 | 94 | 100 | F1/F2 | F |
| RT1270L | 12 | 7 | 151 | 65 | 94 | 100 | F1/F2 | F |
| RT1270(VDS) | 12 | 7 | 151 | 65 | 94 | 100 | F1/F2 | F |
| RT1280 | 12 | 8 | 151 | 65 | 94 | 100 | F1/F2 | F |
| RT1280L | 12 | 8 | 151 | 65 | 94 | 100 | F1/F2 | F |
| RT1290EP | 12 | 9 | 151 | 65 | 94 | 100 | F1/F2 | F |
| RT1290 | 12 | 9 | 151 | 65 | 94 | 100 | F1/F2 | F |
| RT12100 | 12 | 10 | 151 | 98 | 95 | 101 | F1/F2 | F |
| RT12120 | 12 | 12 | 151 | 98 | 95 | 101 | F1/F2 | F |
| RT12120A | 12 | 12 | 151 | 98 | 95 | 101 | F1/F2 | F |
| RT12180 | 12 | 18 | 181 | 77 | 167 | 167 | F3(M5) / F13-BP(M5) | D |
| RT12200 | 12 | 20 | 181 | 77 | 167 | 167 | F3(M5) / F13-BP(M5) | D |
| RT12220 | 12 | 22 | 181 | 77 | 167 | 167 | F3(M5) / F13-BP(M5) | D |
| RT12240 | 12 | 24 | 166 | 176 | 125 | 125 | F3(M5) / F13-BP(M5) | D |
| RT12260 | 12 | 26 | 166 | 176 | 125 | 125 | F3(M5) / F13-BP(M5) | D |
| RT12240S | 12 | 24 | 165 | 125 | 174 | 174 | T28(M5) / F11(M6) | D |
| RT12280 | 12 | 28 | 166 | 176 | 125 | 125 | F3(M5) / F13-BP(M5)/T24(M5) | D |
| RT12260S | 12 | 26 | 165 | 125 | 174 | 174 | F7(M8) / F11(M6) | D |
| RT12280S | 12 | 28 | 165 | 125 | 174 | 174 | F7(M8) / F11(M6) | D |
微软之加入HMCC，是因为正在考虑如何对应很可能会成为个人电脑和计算机性能提升的“内存瓶颈”问题。内存瓶颈是指随着微处理器的性能通过多核化不断提升，现行架构的DRAM的性能将无法满足处理器的需要。如果不解决这个问题，就会发生购买计算机新产品，实际性能也得不到相应提升的情况。与之相比，如果把基于TSV的HMC应用于计算机的主存储器，数据传输速度就能够提高到现行DRAM的约15倍，不只是微软，微处理器巨头美国英特尔等公司也在积极研究采用HMC。
其实，计划采用TSV的并不只是HMC等DRAM产品。按照半导体厂商的计划，在今后数年间，从承担电子设备输入功能的CMOS传感器到负责运算的FPGA和多核处理器，以及掌管产品存储的DRAM和NAND闪存都将相继导入TSV。如果计划如期进行，TSV将担负起输入、运算、存储等电子设备的主要功能。