雷仕顿蓄电池NP38-12 12V38AH系列参数
雷仕顿蓄电池NP38-12 12V38AH系列参数
安全性能好
》贫液式设计，电池内的电解液全部被极板和超细玻璃纤维隔板吸附，电池内部无自由流动的电解液，在正常使用情况下无电解液漏出，侧倒90度安装也可正常使用。
》阀控密封式结构，当电池内气压偶尔偏高时，可通过安全阀的自动开启，泄掉压力，保证安全，内部产生可燃爆性气体聚集少，达不到燃爆浓度，防爆性能。
免维护性能
》利用阴极吸收式密封免维护原理，气体密封复合效率超过95%，正常使用情况下失水极少，电池无需定期补液维护。
绿色环保
》正常充电下无酸雾，不污染机房环境、不腐蚀机房设备。
自放电小
》采用析气电位高的Pb-Ca-Sn合金，在20℃的干爽环境中放置半年，无需补电即可投入正常使用。
适用环境温度广
》－10℃～45℃可平稳运行。
耐大电流性能好St pocketwizard battery (Beijing) co., LTD
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》紧装配工艺，内阻小，可进行3倍容量的放电电流放电3分钟（≤24Ah允许7分钟以上持续放电至终止电压）或6倍容量的放电电流放电5秒，电池无异常。
寿命长
》由于采用高纯原材料及长寿命配方、电池组一致性控制工艺，NP系列电池组正常浮充设计寿命可达7～10年（≥38Ah）。
电池组一致性好
》不计成本的保证电池组中的每一个电池具有相对一致的特性，确保在投入使用后长期的放电一致性和浮充一致性，不出现个别落后电池而拖垮整组电池。
①从源头的板栅、涂膏量的重量和厚度开始控制；
②总装前再逐片极板称重分级（≥38Ah的电池），确保每个单体中活性物质的量的相对一致性；
③定量注酸，四充三放化成制度，均衡电池性能；
④下线前对电池进行放电，进行容量和开路电压的配组；
⑤≥38Ah的电池出库前的静置期检测，经过7～15天的“时间考验”，出库时再检，能有效检出下线时难以检出的极个别疑虑电池；
⑥出库时依据电池的开路电压和内阻进行二次配组
安全性能好： 正常使用下无电解液漏出，无电池膨胀及破裂。 放电性能好： 放电电压平稳，放电平台平缓。 耐震动性能好：完全充电状态的电池完全固定，以4mm的振幅，16.7Hz的频率无漏液，无电池膨胀及破裂，开路电压正常。 耐冲击性好：完全充电状态下的电...产品描述：安全性能好：正常使用下无电解液漏出，无电池膨胀及破裂。放电性能好：放电电压平稳，放电平台平缓。耐震动性能好：完全充电状态的电池完全固定，以4mm的振幅，16.7Hz的频率无漏液，无电池膨胀及破裂，开路电压正常。耐冲击性好：完全充电状态下的电池从20cm高处自然下落至1cm厚的硬木板上3次无漏液，无电池膨胀及破裂，开路电压正常。耐过放电性好：25℃，完全充电状态的电池进行定电阻放电3星期（电阻只相当于该电池1Ca放电的要求的电阻）,恢复容量在75%以上。耐充电性好：25℃，完全充电状态的电池0.1ca充电48小时，无漏液，无电池膨胀及破裂，开路电压正常，容量维持率在95%以上。耐大电流性好：完全充电状态下的电池2ca放电5分钟或10ca放电5秒钟，无导电部分熔断，无外观变形。
硅太阳能电池的分类
硅太阳能电池是以硅为基体材料的太阳能电池。按硅片厚度的不同，可分为晶体硅太阳能电池和薄膜硅太阳能电池。按材料的结晶形态，晶体硅太阳能电池有单晶硅（c－Si）和多晶硅（p－Si）太阳能电池两类；薄膜硅太阳能电池分为非晶硅（a－Si）薄膜太阳能电池、微晶硅（c－Si）太阳能电池和多晶硅（p－Si）薄膜太阳能电池三种。
1、单晶硅太阳能电池
单晶硅太阳能电池转换效率，技术也为成熟。在实验室里的转换效率为24．7％（理论光电转化效率为25％），规模生产时的效率为18％（截至2011年）。在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位，但由于单晶硅成本价格高，大幅度降低其成本很困难，为了节省硅材料，发展了多品硅薄膜和非晶硅薄膜作为单晶硅太阳能电池的替代产品。
2、多晶硅太阳能电池
多晶硅太阳能电池一般采用低等级的半导体多晶硅，或者专门为太阳能电池使用而生产的铸造多晶硅等材料。与单晶硅太阳能电池相比，多晶硅太阳能电池成本较低，转换效率与单晶硅太阳能电池比较接近，它是太阳能电池的主要产品之一。多晶硅太阳能电池硅片制造成本低，组件效率高，规模生产时的效率已达18％左右。多晶硅太阳能电池占据主流，除取决于此类电池的优异性能外，还在于其充足、廉价、无毒、无污染的硅原料来源，而近年来多晶硅成本的降低更将使多晶硅太阳能电池大行其道。
3、非晶硅薄膜太阳能电池
非晶硅薄膜太阳能电池成本低重量轻，便于大规模生产，有极大的潜力。非晶态硅，其原子结构不像晶体硅那样排列得有规则，而是一种不定形晶体结构的半导体。非晶硅属于直接带系材料，对阳光吸收系数高，只需要1μm厚的薄膜就可以吸收80％的阳光。非晶硅薄膜太阳能电池于1976年问世，南于硅原料不足和价格上涨，促进了高效使用硅的技术和非晶硅薄膜系太阳能电池的开发。非晶硅薄膜电池低廉的成本弥补了其在光电转换效率上的不足。南于非晶硅缺陷较多，制备的太阳能电池效率偏低，且受制于其材料引发的光电效率衰退效应，稳定性不高，直接影响了它的实际应用。
微晶硅（μc－Si）薄膜太阳能电池同样由于光电效率衰退效应致使其性能不稳定。发展受到一定的限制。
多晶硅薄膜太阳能电池是近年来太阳能电池研究的热点。虽雷仕顿蓄电池NP38-1212V38AH系列参数然多晶硅属于间接带隙材料，不是理想的薄膜太阳能电池材料，随着陷光技术、钝化技术以及载流子束缚技术的不断发展，人们完全有可能制备出高效、廉价的多晶硅薄膜太阳能电池