柏克蓄电池12V200AH技术参数

石墨烯是由碳原子组成的单层石墨--zui早的石墨烯就是用胶带一层一层地把石墨变薄而获得的，是只有一个碳原子厚度的六角型呈蜂巢晶格的平面薄膜。具有非常好的导热性、电导性、透光性，具有高强度、超轻薄、超大比表面积等特性，被誉为“超级材料”。

石墨烯非常轻)

石墨烯的用途非常广泛，可以被应用于锂离子电池电极材料、薄膜晶体管、传感器、半导体器件、复合材料制备、透明显示触摸屏等方面。

石墨烯是替代硅的理想材料

相对于通过前端设计提升微结构来提高芯片性能，通过后端设计来提升主频显然更加简单粗暴，随着In在IPC上已经遭遇紧瓶，相信其他IC设计公司在各自的微结构达到Haswelb水平后，IPC很有可能也会相继撞墙。提升主频已经是成为了提

HCPU性生能的*。佳基材料集成电路主频越高，热量也随之提高，并zui终撞上功耗墙。目前硅基芯片较高的频率是在液氮环境下实现的8.4G常使用的桌面芯片主频基本在3G到4G，笔记本电脑为了控制CPU功耗，主频普遍控制在2G到3G之间。但如果使用石墨烯材料，那么结果就可能不同了。因为相对于现在普遍使用的硅基材料，石墨烯的载流子迁移率在室温下可达硅的10倍以上，在实验室环境下较高可达100倍，饱和速度是硅的5倍，电子运动速度达到了光速的1/300。具有非常好的导热性能，芯片的主频理论上可以达到300G，并且有比硅基芯片更低的功耗--早在几年前，IBM在实验室中的石墨烯场效应晶体管主频达155G.

IBM的石墨烯圆晶/芯片)

采用石墨烯材料的芯片具有*的工作频率和极小的尺寸，石墨烯芯片制造可与硅工艺兼容，是硅的理想替代材料.在前端设计水平相当的情况下，使用石墨烯制造的芯片要比使用硅基材料的芯片性能强几十倍，随着技术发展，挖掘潜力，性能可能会是传统硅基芯片的上百倍!还拥有更低的功耗石墨烯材料制备

石墨烯材料可分为两类:一类是由单层或多层石墨烯构成的薄膜,另一类是由多层石墨烯(10层以下)构成的微片。目前石墨烯制造方法多达几十种--物理方法主要有机械剥离法、取向附生法和加热SiC外延生长法;化学方法主要有电弧放电去、化学剥离法、氧化还原法和化学气相沉积(CVD)法。各种制备方法获得的石墨烯材料应用领域有所不同，比如采用电弧放电发制取的石墨烯更适合作为超级电容器的电极材料，而可用于制造集成电路的石墨烯材料的制备方法是加热SiC外延生长法和CVD法。

加热SiC法

加热SiC法是在SiC晶圆的Si面或C面上，通过加热使Si原子蒸发掉而在SiC上形成石墨烯层。该方法制作的石墨烯材料层数可，面积较大，具有较高的载流子迁移率，能够研制出高性能的射频芯片。但目前受SiC晶圆尺寸的限制，这种技术zui多只能