日本Shimadzu岛津ALN氮化铝陶瓷真空烧结炉VHSgr40/40/150
日本Shimadzu岛津ALN氮化铝陶瓷真空烧结炉VHSgr40/40/150适用于AIN氮化铝基板和AIN结构件从脱气到大气压烧结的连续处理。新能源汽车、半导体、5G通讯、 LED等设备上的散热基板及其他结构件的烧结处理。
氮化铝陶瓷具备优异的综合性能，是近年来受到广泛关注的新一代先进陶瓷，是高密度、大功率和高速集成电路基板和封装的理想材料。而在氮化铝—系列重要性质中，Zui为显著的是高热导率。岛津AIN氮化铝基板真空烧结炉VHSgr40/40/150氮化铝陶瓷基板热导率理论上可达320w/(m·k)，但由于氮化铝中有杂质和缺陷，导致氮化铝产品的热导率远达不到理论值。既要达到致密烧结、降低杂质含量、减少晶界相的含量，又要简化工艺、降低成本，在AlN陶瓷的烧结过程中关键要做到：—是选择适当的烧结工艺及气氛；二是选择适当的烧结助剂。
Shimadzu岛津ALN氮化铝陶瓷真空烧结炉是目前制备高热导率致密化AlN陶瓷的主要工艺方法之一。所谓热压烧结，即在一定压力下烧结陶瓷，可以使加热烧结和加压成型进行。降低氮化铝陶瓷的烧结温度，促进陶瓷致密化。以25MPa高压，1700℃下烧结4h便制得了密度为3.26g/cm³、热导率为200W/(m.K)的AlN陶瓷烧结体，AlN晶格氧含量为0.49wt%，比1800℃下烧结8h得到的AlN烧结体的晶格氧含量（1.25wt%）低了60%多，热导率得以提高
无压烧结亦称常压烧结，Shimadzu岛津AIN氮化铝陶瓷真空烧结炉是AlN陶瓷传统的制备工艺。在常压烧结过程中，坯体不受外加压力作用，仅在一般气压下经加热由粉末颗粒的聚集体转变为晶粒结合体，常压烧结是Zui简单、Zui广泛的的烧结方法。常压烧结氮化铝陶瓷一般温度范围为1600-2000℃，适当升高烧结温度和延长保温时间可以提高氮化铝陶瓷的致密度。
日本岛津AIN氮化铝基板真空烧结炉VHSgr40/40/150炉内装有密封箱，使脱脂挥发的气体不污染炉内壁和隔热材，全部排出到炉外。
目前，ALN陶瓷烧结气氛有3种：中性气氛、还原型气氛和弱还原型气氛。中性气氛采用常用的N2、还原性气氛采用CO，弱还原性气氛则使用H2。
在还原气氛中，AlN陶瓷的烧结时间及保温时间不宜过长，且其烧结温度不能过高，以免AlN被还原。而在中性气氛中不会出现上述情况，一般选择在氮气中烧结，以此获得性能更高的AlN陶瓷。
在氮化铝陶瓷基板烧结过程中，除了工艺和气氛影响着产品的性能外，烧结助剂的选择也尤为重要。在常压下进行烧结，添加适宜的烧结助剂不仅能够大大降低能耗，还能够制备出高性能的AlN陶瓷。研究表明，通过添加一些低熔点的烧结助剂，可以在氮化铝烧结过程中产生液相，促进氮化铝坯体的致密烧结。
AlN烧结助剂一般是碱金属氧化物和碱土金属氧化物，烧结助剂主要有两方面的作用：一方面形成低熔点物相，实现液相烧结，降低烧结温度，促进坯体致密化；另一方面，高热导率是AlN基板的重要性能，而实现AlN基板中由于存在氧杂质等各种缺陷，热导率低于理论值，加入烧结助剂可以与氧反应，使晶格完整化，进而提高热导率。
