SSB蓄电池SBLFG200-12i12V200AH包邮
德国SSB蓄电池特点：
1、初始容量大，比能量高 采用新型合金板栅材料专利技术，优化设计的产品结构，容量比同类产品高出5%，比能量达35~38Wh/kg。
2、低温性能优越 采用特殊的耐低温添加剂材料，电池能够在-15℃～40℃环境下正常使用。
3、组合一致性 采用先进的和膏设备、极板分选取设备、电池动态配组技术，能有效提高整组电池的一致性。
4、高功率放电性能好 正、负极板均采用涂膏式结构，紧装配工艺，内阻小，高功率放电性能好，具有超强的起动能力，30°斜坡爬坡轻松自如。
5、安全可靠 安全阀能自动开启，既可以排出由于误操作或免维护过充电导致的多余气体，又能防止外部气体或火花进入电池内部引起自放电或爆炸。全密封防泄漏结构：电池可倾斜、卧放使用，但不允许倒置。
6、使用寿命长 长寿命活性物配方，具有极强的耐深循环充放电能力，在25℃下，80%DOD循环寿命可达600~700次；DOD寿命循环达300~350次。
7、绿色环保 电池以绿色环保为本，采用新型密封结构优化设计，确保使用过程无漏酸及酸雾溢出现象，安全可靠。
8、免维护 密封反应效率高，电池在整个使用过程中无需补水或补酸维护。
德国SSB胶体蓄电池性能优异，虽然初期购买电池相对价格高，但SSB蓄电池使用寿命长，正常使用可达10到12年，其实总体来说比购买普通电池实惠
德国SSB蓄电池是世界SSB蓄电池SBLFG200-12i12V200AH包邮胶体蓄电池，
1．德国SSB蓄电池不会造成严重的环保问题，电解质呈现弱酸性，不会对环境造成污染。
2. 大电流充放电性能优于锂电池，远好于普通铅酸电池。
3. 没有记忆性，可以深充深放，即便把硅能电池正负极短路，电池电压放到零伏，GEL电池也不会损坏，这是硅能电池的特有功能之一。
4. 充放电基本不受环境条件的影响，可在-50oC～＋70oC，6000公尺深海环境下正常工作，这也是GEL电池的特有功能之一。
5. 循环次数远多于同样使用条件下的其它电池。
6. 充放电过程中的温升幅度远低于其它电池，即使是大电流充放，电池的温升也很小。
7. 衰减期特别长，一般可在500个循环后才观察到有能量衰减迹象。
8. 性价比很高，在同等条件下，GEL电池的性价比目前为Zui高。
9. 军民两用的高效硅能电池，是从军舰坦克和通讯**走向大众的电池。
10. 使用不受位置的影响，全方位放置也不会漏液。并且电解质为中性没有腐蚀性
设备的可靠性与多种因素有关，包括电路研制定型水平、技术人员技术水平和经验、器件选用差别、生产工艺水平、质量管理流程等。电路结构变化有个技术成熟的过程，当然还包括所选用的器件性能和可靠性对新电路结构的适应能力。所以说电路结构的变化对设备可靠性是有影响的，影响大小Zui终取决于电路技术成熟程度和器件水平这两个因素。
1、技术成熟是毋庸置疑
无变压器UPS采用的新技术主要有两点:一是AC/DC高频整流(PFC)技术；二是输出半桥逆变技术。这两项技术产生由来已久，已成为电力电子设备的经典技术，应用也非常广泛，所以技术成熟程度是毋庸置疑的。虽然把这两项技术集成起来用于无变压器UPS中仅是Zui近十年的事情，因电路定型水平和参数选择的差异也可能存在设备可靠性问题，但出现可靠性的根本原因却不是电路结构和新技术的应用造成的。
2、当前器件性能水平完全能够满足新电路结构提出的更高要求
在无变压器UPS中，对器件性能要求高的环节主要是半桥式逆变器，而关键的参数又是功率开关器件IGBT的耐压(UCES)和输出电流(有效值和峰值)能力，IGBT的输出能力完全可以满足400～500kVA的大功率无输出变压器UPS。
值得注意的是，在无变压器UPS的半桥逆变电路中，输出电压是由±400V直流母线电压直接形成的，输入电流有效值等于输出电流有效值。而传统的带变压器UPSSSB蓄电池SBLFG200-12i12V200AH包邮是通过输出变压器升压形成的，在升压比为1:1.9或1:1.78时，同时考虑三角形/星形接法输出电流有效值是输入有效值的1.73倍，所以全桥逆变器输入电流有效值是输出电流有效值的1.9/1.73=1.1(或1.78/1.73=1.03)倍。数据说明，对同样输出功率的UPS，无输出变压器UPS对IGBT的电流输出能力的要求并不比传统的带输出变压器UPS高。也就是说，从IGBT地电流输出能力来看，能做多大功率的带输出变压器UPS，就可以做多大输出功率的无输出变压器UPS。
与带输出变压器UPS相比，无输出变压器UPS的逆变器对IGBT的耐压提出了更高的要求。在带输出变压器UPS的全桥逆变器中，IGBT的耐压就是直流母线电压，一般为400多伏，而在无输出变压器UPS地输出半桥逆变器中，直流母线电压是±400V，要求IGBT的耐压要大于800V。虽然当前的器件耐压1200V已不成问题，但此要求不仅仅是静态耐压问题，更严重的是IGBT地开关电压变化率(du/dt)和开关损耗问题，因而这是电路设计和器件选择时必须重视和解决的问题。
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